ddr2与ddr的分别
1、速率与预取量
ddr2的实际工作频率是ddr的两倍，ddr2内存拥有两倍于标准ddr内存的4bit预期能力。
2、封装与电压
ddr封装为tsopii，ddr2封装为fbga;
ddr的标准电压为2.5v，ddr2的标准电压为1.8v。
3、bitpre-fetch
ddr为2bitpre-fetch，ddr2为4bitpre-fetch。
4、新技术的引进
ddr2引入了ocd、odt和post
(1)odt：odt是内建核心的终结电阻，它的功能是让dqs、rdqs、dq和dm信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射;
(2)postcas：它是为了提升ddr2内存的利用效率而设定的;
在没有前置cas功能时，对其他l-bank的寻址操作可能会因当前行的cas命令占用地址线而延后，并使数据i/o总线出现空闲，当运用前置cas后，消除了命令冲突并使数据i/o总线的利率提升。
(3)ocd(off-chipdriver)：离线驱动调整，ddr2通过ocd可以提升信号的完整性
ocd的作用在于调整dqs与dq之间的同步，以确保信号的完整与可靠性，ocd的主要用意在于调整i/o接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，目的是让dqs与dq数据信号间的偏差降低到最小。调校期间，分别测验dqs高电平和dq高电平，与dqs低电平和dq高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，直到测验合格才退出ocd操作。
ddr3与ddr2的分别
1、ddr2为1.8v，ddr3为1.5v;
2、ddr3采用csp和fbga封装，8bit芯片采用78球fbga封装，16bit芯片采用96球fbga封装，而ddr2则有60/68/84球fbga封装三种规格;
3、逻辑bank数量，ddr2有4bank和8bank，而ddr3的起始bank8个;
4、突发长度，由于ddr3的预期为8bit,所以突发传输周期(bl，burstlength)也固定位8，而对于ddr2和早期的ddr架构的系统，bl=4也是常用的，ddr3为此增加了一个4-bitburstchop(突发突变)模式，即由一个bl=4的读取操作加上一个bl=4的写入操作来合成一个bl=8的数据突发传输，届时可通过a112位地址线来控制这一突发模式;
5、寻址时序(timing)，ddr2的al为0~4，ddr3为0、cl-1和cl-2，另外ddr3还增加了一个时序参数——写入延迟(cwd);
6、bitpre-fetch：ddr2为4bitpre-fetch,ddr3为8bitpre-fetch;
7、新增功能，zq是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露srt(self-reflashtemperature)可编程化温度控制储存器时钟频率功能，新增pasr(partialarrayself-refresh)局部bank刷新的功能，可以说针对整个储存器bank做更有效的数据读写以达到省电功效;
8、ddr3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的vrefca和为数据总线服务的vrefdq，这将有效低提升系统数据总线的信噪等级;
9、点对点连接(point-to-point,p2p)，这是为了提升系统性能而进行的重要改动。
总体比较
ddr4展望
